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Samsung MZ-N6E500BW - Disque dur interne 860 EVO 500GB M.2 SATA Internal SSD

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Disque dur interne 860 EVO 500GB M.2 SATA Internal SSD MZ-N6E500BW

Disque dur interne 860 EVO M.2 SATA Internal SSD, Capacité de stockage de 500 Go, Interface SATA III 6 Gb /s, M.2 Facteur de forme, Jusqu'à 550 Mo / s de vitesse de lecture séquentielle, Jusqu'à 520 Mo / s de vitesse d'écriture séquentielle, Chiffrement matériel AES 256 bits, Technologie V-NAND Spécialement conçus pour une utilisation sur PC au quotidien, avec la technologie V-NAND et un contrôleur basé sur un algorithme solide, ces SSD aussi rapides que fiables sont disponibles

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Disponibilité : Obsolète (Fin de vie)

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Description
Avis des clients

GÉNÉRAL

Chiffrement matériel : Oui

Type d'appareil : Lecteur à état solide - interne

Type de mémoire flash NAND : Cellule 3D à plusieurs niveaux (MLC)

Interface : SATA 6Gb / s

Taille du tampon : 512 Mo

Poids : 0,28 oz

Fabricant : Samsung

DIVERS

Algorithme de cryptage : AES 256 bits

MTBF : 1500000 sec

Chiffrement matériel : Oui

Détails de chiffrement : TCG Opal Encryption 2.0

INTERFACE FOURNIE

Qté : 1

Type de connecteur : M.2 Carte

Interface de stockage : Série ATA-600

PERFORMANCE

Taux de données interne : 550 MBps (lecture) / 520 MBps (écriture)

Écriture aléatoire maximale de 4 Ko : 88000 IOPS

Taux de transfert du lecteur : 600 Mbps (externe)

EXPANSION ET CONNECTIVITÉ

Interfaces : 1 x SATA 6 Gb / s - Carte M.2

DISQUE DUR

Facteur de forme : M.2 2280

Caractéristiques : Technologie V-NAND 3D 3 bits, Algorithme Auto Garbage Collection, Contrôleur Samsung MJX, Support TRIM, Technologie TurboWrite, eDrive, antichoc

Type de disque dur : disque dur interne

Facteur de forme (court) : M.2

Facteur de forme (métrique) : M.2 2280

Facteur de forme (court) (métrique) : M.2

Interface de stockage : Série ATA-600

Interface : Série ATA-600

Type de mémoire flash NAND : Cellule 3D à plusieurs niveaux (MLC)

Taux de transfert des données : 600 MBps

Taux de données interne : 550 Mbps

Taux de données interne (écriture) : 520 MBps

Écriture aléatoire maximale de 4 Ko : 88000

Lecture aléatoire maximale de 4 Ko : 97000 IOPS